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2011년 1/2월 20권 1/2호
표지설명
포토리소그래피 / 반도체 소자의 크기가 나노미터 사이즈로 줄어가면서 현재까지 사용되는 빛의 파장은 포토리소그래피의 한계점으로 작용하고 있다. 이에 따라 파장이 짧은 EUV 혹은 더 짧은 X-선의 활용이 필수적으로 제기되고 있다. 최근 제 3세대 방사광가속기 혹은 제 4세대 자유전자레이저는 고품질의 매우 강도가 센 X-선을 제공하고 있어 X-선을 활용한 포토리소그래피 기술의 개발이 기대된다. 표지는 포항방사광가속기에 설치된 경 X-선 리소그래피 장치와 마스크를 통과한 패턴의 진행에 대한 결과를 보여주고 있다. (그림 제공: 광주과학기술원 노도영 교수)
회장 취임사
특집
- 포토리소그래피의 기본원리 - 안진호·이상설 PDF 다운로드
- 극자외선 간섭을 이용한 패터닝 - 강현철·이수용·김재명·노도영 PDF 다운로드
- 경 X-선 나노 리소그래피 - 노도영 PDF 다운로드
- 나노임프린트 리소그래피 기술 및 응용 - 정건영 PDF 다운로드
물리학과 첨단기술의 세계
회원기고
- [과학정책] 새로운 50년을 준비하는 과학기술혁신과 과학자의 역할 - 박영아 PDF 다운로드
- [현장의 물리교육] 경기과학고등학교-융합형 인재 육성을 꿈꾸다 - 정혁 PDF 다운로드
- [크로스로드] 어떤 일을 George가 하게 둘 것인가? - 권민정 PDF 다운로드
연구실 탐방
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