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2011년 1/2월 20권 1/2호

표지설명

포토리소그래피 / 반도체 소자의 크기가 나노미터 사이즈로 줄어가면서 현재까지 사용되는 빛의 파장은 포토리소그래피의 한계점으로 작용하고 있다. 이에 따라 파장이 짧은 EUV 혹은 더 짧은 X-선의 활용이 필수적으로 제기되고 있다. 최근 제 3세대 방사광가속기 혹은 제 4세대 자유전자레이저는 고품질의 매우 강도가 센 X-선을 제공하고 있어 X-선을 활용한 포토리소그래피 기술의 개발이 기대된다. 표지는 포항방사광가속기에 설치된 경 X-선 리소그래피 장치와 마스크를 통과한 패턴의 진행에 대한 결과를 보여주고 있다. (그림 제공: 광주과학기술원 노도영 교수)

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