1992년 6월 1권 2호반도체 기술 / 6인치 Silicon Wafer의 최종 공정이 끝난 후의 사진이다. 0.8 μm 또는 0.5 μm의 Line과 Space에 의해 회절격자(grating)가 형성되어 영롱한 일곱가지 무지개색을 띠고 있다. 4M DRAM 및 16M DRAM의 경우 각각 100만 자(신문 50페이지), 200만 자의 한글을 기억할 수 있다. Test에서는 Function Check를 거친 후 Die Saving, Die Bonding, Molding을 거쳐 제품화 된다(사진 제공: 현대전자).··· 더보기
1992년 3월 1권 1호첨단기술의 오늘과 내일 / Si(III)-(7x7) 표면구조의 원자 재배열에 대한 scanning tunneling microscope(STM) 사진이다. 사진에서 실선은 unit cell을 나타내며 주황색은 dangling bond를 나타낸다. 즉 한 unit cell 안에 19개의 dangling bond가 있으나 12개의 첫번째 층의 원자의 dangling bond가 주황색으로 나타나 있다.
(사진제공: 서울대학교 물리학과/반도체공동연구소 국양 교수)··· 더보기
1992년 6월 1권 2호
반도체 기술 / 6인치 Silicon Wafer의 최종 공정이 끝난 후의 사진이다. 0.8 μm 또는 0.5 μm의 Line과 Space에 의해 회절격자(grating)가 형성되어 영롱한 일곱가지 무지개색을 띠고 있다. 4M DRAM 및 16M DRAM의 경우 각각 100만 자(신문 50페이지), 200만 자의 한글을 기억할 수 있다. Test에서는 Function Check를 거친 후 Die Saving, Die Bonding, Molding을 거쳐 제품화 된다(사진 제공: 현대전자).
···
더보기
1992년 3월 1권 1호
첨단기술의 오늘과 내일 / Si(III)-(7x7) 표면구조의 원자 재배열에 대한 scanning tunneling microscope(STM) 사진이다. 사진에서 실선은 unit cell을 나타내며 주황색은 dangling bond를 나타낸다. 즉 한 unit cell 안에 19개의 dangling bond가 있으나 12개의 첫번째 층의 원자의 dangling bond가 주황색으로 나타나 있다.
(사진제공: 서울대학교 물리학과/반도체공동연구소 국양 교수)
···
더보기
